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Prezzi: Infineon


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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 333 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.36 x 4.57 x 15.95mm, Classe di efficienza energetica: 3.6mJ, Capacità del gate: 3140pF, M...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Sensore effetto Hall, 3 pin, SOT-23, Montaggio superficiale, MPN: TLV49613MXTSA1...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon MOSFET, canale P, 205 mΩ, 13 A, IPAK (TO-251AA), Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 66 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione ma...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon MOSFET, canale N, 1,8 mΩ, 320 A, I2PAK (TO-262), Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 294 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, Altezz...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Driver gate MOSFET IRS2304SPBF, 290 mA, 600 mA, 20V, SOIC, 8-Pin, Topologia: Half Bridge, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Polarità: Non-invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Compatibilità ingresso logico: CMOS, LSTTL, Dimensioni: 5 x 4 x 1.5mm...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Circuito interruttore RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10-Pin, Dimensioni: 1.1 x 1.5 x0.55mm, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Amplificatore RF BGB741L7ESDE6327XTSA1, guadagno 21,5 dB 5 GHz, TSLP 7 Pin, Tipo di amplificatore: Basso rumore, Figura di rumore tipica: 1.8dB, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 2 x 1.3 x 0.35mm, Lunghezza: 2mm, Tensione di alimentazione operativa massima: 4 V, Massima...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Diodo PIN BAR6304WH6327XTSA1, 3 Pin, SOT-323 (SC-70), Configurazione diodi: Serie, Applicazione: Commutazione ad alta velocità, Corrente massima di forward: 100mA, Massima tensione inversa: 50V, Durata titpica della portante: 75ns, Tensione massima di forward: 1.2V, Tipo di montaggio: Mont...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Diodo PIN BAR9002ELSE6327XTSA1, 2 Pin, TSSLP, Configurazione diodi: Singolo, Corrente massima di forward: 100mA, Massima tensione inversa: 80V, Durata titpica della portante: 0.75µs...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Diodo, Montaggio a pannello, 170A, 1800V, Configurazione diodi: Serie, Diodo: Giunzione al silicio, Numero pin: 3, Caduta di tensione diretta massima: 1.26V, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 6.6A, MPN: DD171N16KHPSA1...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 50 V, Montaggio superficiale, Configurazione transistor: Singolo, Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 2.9 x 1.3 x 1mm, Minima temperatura operativa: -65 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: 0,3 V, Rapporto resistivo tipico:...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon MOSFET, 0,057 Ω, 2,3 A, TSOP-6, Montaggio superficiale, MPN: BSL308CH6327XTSA1...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon Transistor MOSFET, canale N, 0.225 Ω, 41 A, PG-TO 220, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 700 V, Tipo di package: PG-A 220, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: CoolMOS, MPN: IPP65R225C7XKSA1...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon MOSFET, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, T...vedi resto in negozio.
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    - Brand: Infineon - - Prezzo sped.: -1 - Infineon MOSFET, canale N, 4,1 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Ten...vedi resto in negozio.
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